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我目前在半导体芯片的废水的调试,废水的设计水量1200m3/hr,目前进水量35m3/hr,进水 COD=450-500,BOD=150-180,PH=3.5-4,氮,磷需另外投加。 工艺流程:调节池-接触氧化池-沉淀池-砂滤器。接触氧化池容积 400立方米(填料250立方米。采用立体填料)有以下问题,向各位请教: 1、接触氧化工艺,溶解氧控制的范围多少是合适的,在这个范围内,溶解氧高低相...查看详情