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在现场，变频器的干扰出现得比较多，且比较严重，甚至导致控制系统无法投入使用。 变频器的工作原理注定其会产生强电磁干扰。 变频器包括整流电路和逆变电路，输入的交流电经过整流电路和平波回路，转换成直流电压，再通过逆变器把直流电压变换成不同宽度的脉冲电压（称为脉宽调制电压，PWM）。 用这个PWM电压驱动电机，就可以起到调整电机力矩和速度的目的。这种工作原理导致以下三种电磁干扰： ...查看详情
知识点：真空电子器件 真空电子器件指借助电子在真空或者气体中与电磁场发生相互作用，将一种形式电磁能量转换为另一种形式电磁能量的器件。具有真空密封管壳和若干电极，管内抽成真空，残余气体压力为10-4～10-8帕。有些在抽出管内气体后，再充入所需成分和压强的气体。广泛用于广播、通信、电视、雷达、导航、自动控制、电子对抗、计算机终端显示、医学诊断治疗等领域。 真空电子器件按其功能分为实现直流电能和电磁振...查看详情
知识点：半导体光电子器件 半导体行业细分为：集成电路、光电子、分立器件以及传感器。其中光电子器件占整个半导体产业的比例在7%-10%之间。光电子元器件是通信行业的核心，具有光信号发射、接受、信号处理功能。 从目前的产业发展周期来看，光电元器件行业依然处于行业早期，未来市场潜力巨大。光电子元器件可分为光电芯片、光器件和光模块。 光自身固有的优点注定了它在人类历史上充当不可忽略的角色，随着人类技术...查看详情
知识点：复合型 问题：什么是复合型电力电子器件？它们有哪些产品？ 回答如下： (1)绝缘门极双极型晶体管——IGBT IGBT可视为双极型大功率晶体管GTR与功率场效应晶体管mosFET的复合。通过施加正向门极电压形成沟道、提供晶体管基极电流使IGBT导通;反之，若提供反向门极电压则可消除沟道、使IGBT因流过反向门极电流而关断。IGBT集GTR通态压降小、载流密度大、耐压高和功率MOSF...查看详情
http://www.esd.cn/uploads/allimg/120301/41-1203011305149A.png 从上表可见大部分器件的静电破坏电压都在几百至几千伏，而在干燥的环境中人活动所产生的静电可达几千伏到几万伏。...查看详情
一、精密电子器件受到静电损伤的事件不断出现，这是困扰电子厂产品质量的重要问题，那么，精密电子器件为什么容易受到静电的损坏呢？ 人体所感应的静电电压一般在2-4KV以上，通常是由于人体的轻微动作或与绝缘物的磨擦而引起的。也就是说倘若我们日常生活中所带的静电电位与集成电路（简称IC）接触，那么几乎所有的IC都将被破坏，这种危险存在于任何没有采取静电防护措施的工作环境中。静电对IC的破坏不仅体现...查看详情
生产车间设备的防静电措施一般应优先选用静电放电(ESD)敏感度应不低于2级的电子元器件。若必须采用静电放电(ESD)敏感度为1级的元器件时，其保护电路应设置在仪器或设备的最低层次上，并要求静电放电(ESD)电压值应不低于2级。 防静电通常采取以下措施： 1.MOS器件所有不同的输入端引线不能悬空，应视不同电路接到电源地、电源(源极)Vss或电源(漏极)VDD上。 2.在MOS器件的每个输入端...查看详情
静电对电子器件的具体危害： 电子元器件按其种类不同，受静电破坏的程度也不一样，最低的100V的静电压也会对其造成破坏。近年来随着电子元器件发展趋于集成化，因此要求相应的静电电压也在不断降低。 人体所感应的静电电压一般在2-4KV以上，通常是由于人体的轻微动作或与绝缘物的磨擦而引起的。也就是说，倘若我们日常生活中所带的静电电位与IC接触，那么几乎所有的IC都将被破坏，这种危险存在于任何没...查看详情
电子器件静电损伤的失效形式及其他防静电方法？ 对于易受静电放电损坏的微电子器件(或是组件)称为静电放电敏感器件。其在静电放电影响下发生的失效形式有以下几种： 突发性完全失效突发性完全失效是器件的一个或多个电参数突然劣化，完全失去规定功能的一种失效。通常表现为开路、短路以及电参数严重漂移。这种失效一般分为两种：一种是与电压相关的失效，如介质击穿、PN结反向漏电流增大等；另一种是与功率有关...查看详情
